负责SOC芯片及IP层级的可测性设计(DFT)架构规划、方案制定与落地实施,覆盖扫描链(Scan)、存储器内建自测试(MBIST)、边界扫描(Boundary Scan/JTAG)、逻辑自测试(LBIST)等核心模块,确保设计方案满足测试覆盖率、面积、功耗及时序要求。
完成DFT相关逻辑的设计、插入与集成,包括扫描单元插入、链整合、MBIST控制器设计、JTAG接口实现等,优化扫描链长度以平衡测试时间与面积开销,解决DFT与芯片功能、时序的冲突问题。
使用主流DFT EDA工具(Synopsys DFT Compiler、Mentor Tessent、TetraMAX等)完成测试向量(ATPG)生成、故障覆盖率分析与优化,确保芯片故障覆盖率达到项目目标,降低测试成本与测试时间。
负责DFT模式下的时序约束(SDC编写),协助后端设计团队完成DFT相关的时序收敛、物理验证(DRC/LVS)及功耗、压降(IR)分析,保障DFT电路的物理可实现性。
参与芯片全流程开发,协同前端设计、验证、后端实现及测试团队,同步DFT设计需求与约束,配合验证团队完成DFT逻辑的功能仿真与验证,解决仿真过程中的DFT相关问题。
支持芯片流片后测试,包括ATE测试向量调试、硅后故障诊断、测试良率分析,定位测试失败根因,优化测试方案与向量,助力芯片良率提升与量产落地。
跟踪行业先进DFT技术(如IEEE 1687、LBIST、MBISR等)及工具发展趋势,优化DFT设计流程,开发自动化脚本(Tcl/Perl/Python/Shell等),提升设计效率与设计质量,推动团队DFT技术升级。
撰写DFT设计方案、测试报告、技术文档及故障分析报告,规范DFT设计流程与文档管理,配合团队完成技术沉淀与知识分享。
一、学历与专业
本科及以上学历,微电子、电子工程、集成电路、计算机科学与技术等相关专业,硕士学历优先。
具备扎实的数字电路、微电子学基础,理解SOC/ASIC设计流程、半导体工艺及芯片架构相关知识。
二、工作经验
5年及以上资深/ 2年以上资浅SOC芯片DFT设计相关工作经验,有独立负责Full-Chip DFT开发、实现及流片量产经验者优先。
熟悉SOC芯片设计全流程,了解前端RTL设计、综合、静态时序分析(STA)、形式验证等相关环节,有DFT与低功耗设计(UPF)协同经验者优先。
三、专业技能
精通DFT核心理论与方法,熟练掌握Scan、MBIST、Boundary Scan(JTAG/IEEE 1149.1)、ATPG等设计流程,理解常见芯片故障模型(固定故障、桥接故障、延迟故障等)及测试原理。
熟悉特定领域总线协议(如AXI、JTAG、IJTAG)。
熟练使用至少一套主流DFT EDA工具,如Synopsys DFT Compiler/TetraMAX、Mentor Tessent等,能独立完成DFT插入、向量生成、覆盖率分析与优化。
熟练掌握Verilog硬件描述语言,能读写RTL代码并分析电路结构,了解SystemVerilog/VHDL者优先;具备DFT相关逻辑的RTL编写与调试能力。
具备脚本开发能力,熟练使用Tcl、Perl、Python、Shell、Makefile等至少一种脚本语言,能编写自动化脚本优化DFT设计与测试流程。
熟悉静态时序分析(STA)原理,能解读SDC时序约束文件,具备DFT模式下时序收敛的分析与优化能力,了解先进工艺节点(7nm及以下)DFT设计挑战者优先。
了解ATE测试机台操作与交互,能配合测试团队完成测试向量调试、硅后故障诊断及良率分析者优先。
四、软技能
具备良好的跨团队沟通与协作能力,能高效配合前端、后端、验证、测试等团队推进项目,具备清晰的表达能力与文档撰写能力。
具备较强的问题分析与解决能力,能独立定位并解决DFT设计、仿真、测试过程中的技术难题,具备严谨的逻辑思维与责任心。
具备良好的英语读写能力,能读懂英文技术文档、工具手册及行业标准。
对芯片技术有浓厚兴趣,具备持续学习能力,能快速跟进行业新技术、新工具,承受一定的项目压力,具备良好的工作主动性与执行力。
加分项
有大规模SOC芯片、Chiplet架构DFT设计经验,或先进工艺(7nm/6nm/5nm)流片及量产经验者优先。
精通LBIST、MBISR、SSN、ShareBUS等高级DFT技术者优先。
熟悉STIL语言、IJTAG(IEEE 1687)标准,或具备DFT诊断工具、良率管理工具使用经验,能独立完成硅后故障定位与良率提升者优先。
具备DFT流程自动化工具开发经验,或主导过DFT设计方法学优化、技术难题攻关项目者优先。