负责SOC芯片后端设计全流程工作,涵盖综合后优化(Post-Synthesis Optimization)、布局规划(Floorplan)、时钟树综合(Clock Tree Synthesis, CTS)、布局布线(Placement & Routing)、物理优化(Physical Optimization)及时序收敛(Timing Closure),确保设计满足时序、面积、功耗及物理规则要求。
主导芯片物理设计方案制定,结合芯片规格、工艺节点特性,规划布局策略、时钟树架构、电源分布网络(Power Distribution Network, PDN),优化布局布线质量,解决后端设计过程中的时序冲突、物理拥挤、功耗过高、压降(IR Drop)等核心问题。
负责后端设计相关工具的操作与优化,熟练使用Synopsys Innovus/IC Compiler II、Primetime、Cadence Virtuoso等主流后端工具,开展物理设计实现、时序分析、物理验证等工作,编写自动化脚本(Tcl/Perl/Python等),提升设计效率与设计质量。
协同前端设计、DFT、验证、版图、工艺工程师,同步后端设计需求与约束,配合前端完成RTL代码优化、时序约束(SDC)梳理,配合DFT工程师完成DFT逻辑集成与物理实现,配合验证团队完成后端设计相关的功能与时序验证。
负责芯片物理验证工作,包括设计规则检查(DRC)、版图与原理图一致性检查(LVS)、电气规则检查(ERC)、天线效应检查(Antenna Check)等,确保版图设计符合工艺规范,解决物理验证过程中的各类违规问题。
参与低功耗设计实现,基于UPF(Unified Power Format)规范,完成电源域划分、Power Gating、Multi-Vt选型等低功耗方案的落地,优化芯片静态功耗(Leakage Power)与动态功耗(Dynamic Power),满足芯片功耗指标。
支持芯片流片相关工作,配合版图工程师完成版图最终检查、GDSII文件输出,协助工艺厂完成流片数据提交和签核,跟踪流片进度,参与流片后硅后分析,针对良率、时序、功耗相关问题,提出后端设计优化方案。
跟踪行业先进后端设计技术、工艺节点(如7nm/6nm/5nm及以下和国内12nm以下)发展趋势,优化后端设计流程,开展技术沉淀与知识分享,撰写后端设计方案、技术报告、流程文档,规范后端设计标准。
一、学历与专业
本科及以上学历,微电子、电子工程、集成电路、半导体等相关专业,硕士学历优先,具备扎实的专业理论基础。
熟悉SOC芯片设计全流程,掌握数字电路、半导体工艺、芯片物理设计、时序分析、低功耗设计等相关基础理论知识。
二、工作经验
5年及以上资深/2年资浅SOC芯片后端设计相关工作经验,具备完整的后端设计(从综合后优化到流片)全流程经验,有先进工艺节点(如7nm/6nm/5nm及以下和国内12nm及以下)后端设计经验者优先。
有复杂SOC芯片(如AI GPU芯片、汽车电子芯片、服务器芯片、消费电子芯片)后端设计经验,熟悉大规模芯片布局规划、时钟树综合及时序收敛者优先。
三、专业技能
精通SOC芯片后端设计全流程,熟练掌握综合后优化、布局规划、时钟树综合、布局布线、物理优化、时序收敛的核心方法与技巧,能独立完成后端设计全流程工作。
熟练使用至少一套主流后端设计工具,如Synopsys Innovus/IC Compiler II、PrimeTime(时序分析)、StarRC(寄生参数提取),或Cadence Virtuoso、Tempus等,能独立完成工具操作、参数设置及问题排查。
精通时序分析(STA)原理,能解读SDC时序约束文件,熟练分析setup/hold时序违规,具备时序收敛的优化能力,能解决复杂时序问题(如跨时钟域、时钟 skew 优化等)。
熟悉物理验证流程,能独立完成DRC、LVS、ERC、Antenna Check等验证工作,了解工艺规则(DRC Rules),能快速定位并解决物理验证违规问题。
具备低功耗设计经验,熟悉UPF规范,掌握Power Gating、Multi-Vt选型、Clock Gating等低功耗设计方法,能完成低功耗方案的后端实现与优化。
具备脚本开发能力,熟练使用Tcl、Perl、Python等至少一种脚本语言,能编写自动化脚本(如布局布线自动化、时序检查自动化),优化后端设计流程。
了解半导体工艺原理,熟悉至少一种工艺节点(如28nm/14nm/7nm)的工艺特性,能结合工艺要求开展后端设计优化,有先进工艺(7nm/5nm)后端设计经验者优先。
熟悉DFT后端实现流程,能配合DFT工程师完成扫描链、MBIST等DFT逻辑的物理集成与时序优化者优先。
四、软技能
具备良好的跨团队沟通与协作能力,能高效配合前端、DFT、验证、版图、工艺等团队推进项目,具备清晰的表达能力与文档撰写能力。
具备较强的问题分析与解决能力,能独立定位并解决后端设计过程中的时序、物理、功耗等各类技术难题,具备严谨的逻辑思维与高度的责任心。
具备良好的英语读写能力,能熟练阅读英文技术文档、工具手册及工艺规则者优先。
加分项
有先进工艺节点(如7nm/6nm/5nm及以下和国内12nm以下)SOC芯片后端设计经验,或大规模SOC芯片、Chiplet架构后端设计经验者优先。
精通低功耗设计深度优化,有CPU、AI芯片低功耗后端设计经验者优先。
具备后端设计流程自动化工具开发经验,或主导过后端设计方法学优化、时序/功耗/面积(PPA)优化项目者优先。
熟悉Chiplet互连技术(如UCIe)、3D IC后端设计流程,或具备高带宽存储器(HBM)、PCIe等高速接口后端设计经验者优先。
具备流片后良率分析、硅后时序/功耗优化经验,能结合硅后数据优化后端设计方案,提升芯片良率者优先。
具备团队管理经验,能带领小团队推进后端设计项目,或具备丰富的技术分享、新人指导经验者优先(适用于资深/高级岗位)。